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单晶少子寿命测试仪

单晶少子寿命测试仪

产品时间:2020-03-24

简要描述:

LT-2型单晶少子寿命测试仪
是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

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LT-2型单晶少子寿命测试仪

是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量,是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高,配备有红外光源,可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶,以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计,由稳压电源、高频源、检波放大器,特制的InGaAsp/InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

LT-2型单晶少子寿命测试仪技术指标

测试单晶电阻率范围>2Ω.cm

配备光源类型

波长:1.09μm;余辉<1 μS;
闪光频率为:20~30次/秒;
闪光频率为:20~30次/秒;

高频振荡源用石英谐振器,振荡频率:30MHz

前置放大器:放大倍数约25,频宽2 Hz-1 MHz

仪器测量重复误差<±20%

测量方式采用对标准曲线读数方式

仪器消耗功率<25W

仪器工作条件:温度: 10-35、 湿度 < 80%、使用电源:AC 220V,50Hz

可测单晶尺寸:断面竖测:φ25mm—150mm; L 2mm—500mm;
纵向卧测:φ25mm—150mm; L 50mm—800mm;

配用示波器:频宽0—20MHz;
电压灵敏:10mV/cm;

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