RTS-9型双电测四探针锂电极片电阻测试仪是一款可以测量锂电池极片电阻率的仪器。采用了四探针双电测组合（亦称双位组合）测量新技术利用电流探针、电压探针的变换，在计算机控制下进行两次电测量，能自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响。

RTS-8四探针电阻率测试仪器是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。 仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。

FT/HP系列四探针测试仪探头 采用综合性能优异的航空工程塑料、机械结构优良弹huang片、耐磨和硬度高的探针研制的测量数据稳定、可靠、准确度高、耐用性能好四探针探头。所有技术指标符合国家标准，同时符合ASTM标准有关规定； 可安装于探针测试台也可手持探头对样品进行测试，如对样品手持探头测试可搭配PH-Ⅱ型把手有效提高测试效率,此测试方式广泛应用于硅多晶料、头尾料、锅底料的电阻率分拣；

手动电动四探针测试仪测试台 S-2A型四探针测试台 专为实验室使用而制作的。该测试台设计别致、操作简易、重量轻、并有微调手轮，便于探针与样品的精确接触。 载物台：方盘140mm*150mm,带刻度线，便于准确定位。 有效行程：40mm、重量：2kg 粗调手轮：20mm/圈、微调手轮：0.2mm/圈。

RTS-4/5/8/9四探针薄膜电阻率测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的，于测试半导体材料电阻率及方块电阻（薄层电阻）的仪器。 仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成，测量数据既可由主机直接显示，亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析，然后以表格，图形方式统计分析显示测试结果。

SB100A/21A四探针金属/半导体电阻率测量仪是SB100A/21（及SB100A/3）的升级版，其为用户提供了使用SB100A/3进行四探针测试及实验的配套软件，可运行于PC机上，能兼容运行在Winxp和Win7系统中，用于自动获取实验台的实验数据，并根据条件生成曲线和报表，辅助实验人员自动完成实验，直观的分析数据，获得实验结论，保存实验数据。本产品的电阻测量范围可达10-5—106Ω。

SB100A/20A四探针金属/半导体电阻率测量仪是SB100A/20（及SB100A/2）的升级版，其为用户提供了使用SB100A/20进行四探针测试及实验的配套软件，可运行于PC机上，能兼容运行在Winxp和Win7系统中，用于自动获取实验台的实验数据，并根据条件生成曲线和报表，辅助实验人员自动完成实验，直观的分析数据，获得实验结论，保存实验数据。本产品的电阻测量范围可达10-6—106Ω。

CV-5000型电容电压特性测试仪 在集成电路特别是MOS电路的生产和开发研制中，MOS电容的C-V测试是极为重要的工艺过程监控测试手段，通过C-V测试达到优化生产过程中的工艺参数，提高IC成品率。

CV-2000型电容电压特性测试仪 作为组成半导体器件的基本结构的PN结具有电容效应（势垒电容）。加正向偏压时，PN结势垒区变窄，势垒电容变大；加反向偏压时，PN结势垒区变宽，势垒电容变小。

LT-2型单晶少子寿命测试仪 是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。