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四探针薄膜电阻率测试仪

四探针薄膜电阻率测试仪

产品时间:2020-03-22

简要描述:

RTS-4/5/8/9四探针薄膜电阻率测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。
仪器由主机、测试台、四探针探头、计算机等部分组成,测量数据既可由主机直接显示,亦可由计算机控制测试采集测试数据到计算机中加以分析,然后以表格,图形方式统计分析显示测试结果。

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RTS-4/5/8/9四探针薄膜电阻率测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。

RTS-4/5/8/9四探针薄膜电阻率测试仪

RTS-4四探针测试仪技术指标 

测量范围

电阻率:0.00012000Ω.cm(可扩展);  
方块电阻:0.00120000Ω/□(可扩展); 
电导率:0.000510000s/cm; 
电阻:0.00012000Ω

可测晶片直径

 140mmX150mm(S-2A型测试台)
 200mmX200mm(S-2B型测试台)
 400mmX500mm(S-2C型测试台)

恒流源电流量程分为0.1mA1mA10mA100mA四档,各档电流连续可调

数字电压表量程及表示形式:000.00199.99mV;    
 分辨力:10μV
 输入阻抗:>1000MΩ
精度:±0.1% 
显示:四位半红色发光管数字显示;极性、超量程自动显示;

四探针探头基本指标  间距:1±0.01mm
针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
机械游移率:≤0.3%
探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm
探针压力:516 牛顿(总力)

四探针探头应用参数  (见探头附带的合格证)

模拟电阻测量相对误差
JJG508-87进行)  0.1Ω10Ω100Ω小于等于0.3%±1

整机测量最大相对误差 (用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试)≤±5%

整机测量标准不确定度  ≤5%

软件功能(选配)软件可记录、保存、打印每一点的测试数据,并统计分析测试数据最大值、最小值、平均值、最大百分变化、平均百分变化、径向不均匀度、并将数据生成直方图,也可把测试数据输出到Excel中,对数据进行各种数据分析。软件还可选择自动测量功能,根据样品电阻大小自动选择适合电流量程档测试。

计算机通讯接口并口,高速并行采集数据,连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5

标准使用环境 温度:23±2
相对湿度:≤65%
无高频干扰;
无强光直射;

RTS-8四探针测试仪技术指标 

电阻率:10-5~105 Ω.cm(可扩展);  
方块电阻:10-4~106 Ω/□(可扩展);
电导率:10-5~105  s/cm;

电阻:10-5~105  Ω;

可测晶片直径

140mmX150mm(配S-2A型测试台);
200mmX200mm(配S-2B型测试台);

400mmX500mm(配S-2C型测试台);

恒流源电流量程分为1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六档,各档电流连续可调

数字电压表

量程及表示形式:000.00~199.99mV;    
分辨力:10μV;
输入阻抗:>1000MΩ;
精度:±0.1% ;

显示:四位半红色发光管数字显示;极性、超量程自动显示;

四探针探头基本指标针:

间绝缘电阻:≥1000MΩ;

机械游移率:≤0.3%;
探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm;
探针压力:5~16 牛顿(总力);

四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证)

模拟电阻测量相对误差
( 按JJG508-87进行)  0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字

整机测量最大相对误差(用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试)≤±5%

整机测量标准不确定度≤5%

测试模式:可连接电脑测试也可不连接电脑测试

软件功能(选配)软件可记录、保存、打印每一点的测试数据,并统计分析测试数据最大值、最小值、平均值、最大百分变化、平均百分变化、径向不均匀度、并将数据生成直方图,也可把测试数据输出到Excel中,对数据进行各种数据分析。软件还可选择自动测量功能,根据样品电阻大小自动选择适合电流量程档测试。

计算机通讯接口并口,高速并行采集数据,连接电脑使用时采集数据到电脑的时间只需要1.5  秒(在 0.1mA、1mA、10mA、100mA量程档时)。

RTS-9四探针测试仪技术指标 

电阻率:10-5~105 Ω.cm(可扩展);  
方块电阻:10-4~106 Ω/□(可扩展);
电导率:10-5~105  s/cm;

电阻:10-5~105  Ω;

可测晶片厚度≤3mm

可测晶片直径

140mmX150mm(S-2A型测试台)
200mmX200mm(S-2B型测试台)
400mmX500mm(S-2C型测试台)

恒流源电 流量程分为1μA10μA100μA1mA10mA100mA六档,各档电流连续可调

数字电压表  量程及表示形式:000.00199.99mV;    
分辨力:10μV
输入阻抗:>1000MΩ
精度:±0.1% 
显示:四位半红色发光管数字显示;极性、超量程自动显示;

四探针探头基本指标  间距:1±0.01mm
针间绝缘电阻:≥1000MΩ; 
机械游移率:≤0.3%
探针:碳化钨或高速钢Ф0.5mm
探针压力:516 牛顿(总力)

四探针探头应用参数  (见探头附带的合格证)

模拟电阻测量相对误差
JJG508-87进行)  0.01Ω0.1Ω10Ω100Ω1000Ω10000Ω≤0.3%±1

整机测量最大相对误差 (用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试)≤±4%

整机测量标准不确定度  ≤4%

测试标准采用双电测测试标准,通过RTS-9双电测测试软件控制四探针测试仪进行测量并实时采集两次组合模式下的电压值,然后根据双电测测试原理公式计算出电阻值。仪器主机也可兼容RTS-8四探针测试软件实现单电测测试标准,两套软件可同时使用。

软件功能软件可记录、保存、打印每一点的测试数据,并统计分析测试数据最大值、最小值、平均值、最大百分变化、平均百分变化、径向不均匀度、并将数据生成直方图,也可把测试数据输出到Excel中,对数据进行各种数据分析。软件还可选择自动测量功能,根据样品电阻大小自动选择适合电流量程档测试。

计算机通讯接口并口,高速并行采集数据。

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